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MRAM(磁気抵抗メモリ)

【よみ】えむらむ 【英名】MagnetoresistiveRandomAccessMemory

MRAM(磁気抵抗メモリ)とは、データの記録を磁気によって
行う新しいタイプのメモリで、電流を流す方向により磁化の
方向=記憶素子の抵抗が切り替わる「磁気抵抗効果」を利用して
「0」か「1」かを判別するというのが基本原理。

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